壓控振蕩器[VCXO]電氣參數(shù)介紹

壓控振蕩器的概念

電壓控制石英晶體振蕩器Voltage Controlled Crystal Oscillators，簡稱VCXO，是通過施加外部控制電壓使振蕩頻率可變的石英晶體振蕩器。在典型的VCXO應(yīng)用中，是通過調(diào)諧外部控制電壓改變變?nèi)荻O管的電容量來“牽引”石英晶體的頻率，VCXO頻率控制范圍比較寬，通常VCXO的牽引范圍約為≥±100ppm。

相關(guān)電氣參數(shù)：

1.標(biāo)稱頻率

Nominal Frequency

振蕩器最重要的參數(shù)之一。頻率表示的是單位時(shí)間內(nèi)振蕩的次數(shù)，通常單位用MHz表示。

2.工作電壓

Operating Voltage

時(shí)鐘振蕩器能夠正常工作的電壓范圍。在這個(gè)范圍內(nèi)，晶振能夠提供穩(wěn)定的振蕩信號(hào)。超出這個(gè)范圍，振蕩器的頻率穩(wěn)定度會(huì)受到電源電壓變動(dòng)和負(fù)載變動(dòng)的影響，甚至可能無法正常工作，通常以[V]為單位。

3.封裝

Holder Type

振蕩器的尺寸大小。

提供SMD3225/5032/7050等片式SMD封裝。

4.總頻率偏差

Frequency Stability

頻率穩(wěn)定性包括常溫頻差、溫度頻差與電壓變化的頻率偏差、第一年老化的頻率變化量的總和(Vc=1.65V±0.1V)。

這一特性是衡量晶振在溫度變化時(shí)頻率變化程度的指標(biāo)。較低的頻率溫度穩(wěn)定度意味著晶振在不同溫度條件下更為穩(wěn)定，對于一些對頻率精確性要求較高的應(yīng)用，如通信、導(dǎo)航、精密測量等，這是一個(gè)重要的性能指標(biāo),通常以[ppm]為單位。

5.消耗電流

Current Consumption

振蕩器在指定工作電壓下穩(wěn)定工作時(shí)消耗的電流。對功耗有嚴(yán)格要求的應(yīng)用中，電流消耗是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。通常以[ mA]為單位。

6.輸出波形

Output

振蕩器在電路中的輸出波形。常見的輸出波形模式有方波CMOS、差分信號(hào)輸出LVPECL、LVDS、HCSL、CML等。

7.輸出負(fù)載

Output Load Condition

振蕩器帶負(fù)載的能力。通常以[pF]為單位。

8.工作溫度范圍

Operating temperature Range

振蕩器能正常工作的溫度范圍。通常在-40℃~+85℃，-40℃~+105℃，-40℃~+125℃。

9.存儲(chǔ)溫度范圍

Storage Temperature Range

時(shí)鐘振蕩器在未使用的情況下，存儲(chǔ)的溫度范圍。通常在-55℃~+125℃。

10.占空比

Duty Cycle

在一個(gè)頻率周期內(nèi)高低電平所占的比例。單位用[%]表示。

11.上升/下降時(shí)間

RISE/Fall Time

時(shí)鐘振蕩器輸出電平10% / 90%VDD所需要的時(shí)間，單位用[nS]表示。

12牽引范圍

 Pulling Range

通過施加外部控制電壓(1.65±1.35V)使振蕩頻率可變的頻率偏差范圍，單位用[ppm]表示。

13.絕對牽引范圍APR

Absolute Pulling Range

頻率牽引范圍-頻率穩(wěn)定度-老化率(PR–Fstability-Faging)，單位用[ppm]表示。

14.壓控中心電壓

Center Voltage

控制的中心電壓1.65V，通常為工作電壓的一半。

15.控制電壓范圍

 Control Voltage Range

控制電壓的范圍1.65±1.35V。

16.線性度

Linearity

10% max,可調(diào)頻率偏差和總偏差之間的比率,單位用[%]表示。

17.調(diào)制帶寬

Modulation Band Width

15KHz min.

18.壓控端輸入電阻

VC Input Impedance

5MΩ min.

19.年老化率

Aging

在所有其它條件都恒定不變的情況下，振蕩器的頻率仍會(huì)隨著時(shí)間推移而發(fā)生的漂移，這種長期漂移是由晶體元件和振蕩電路的其它元器件緩慢變化造成的，即晶振隨時(shí)間變化而引起的頻率變化量?？捎萌绽匣?/span>(ppb/天)和年老化(ppm/年)表示。