時(shí)鐘振蕩器中電氣參數(shù)簡(jiǎn)介

時(shí)鐘振蕩器，一個(gè)在電子領(lǐng)域中不可或缺的專業(yè)術(shù)語。它如同人體的心臟，為各種電子設(shè)備提供穩(wěn)定而準(zhǔn)確的時(shí)間基準(zhǔn)。時(shí)鐘振蕩器產(chǎn)生周期性的電波信號(hào)，這些信號(hào)被用來同步數(shù)字邏輯電路中的數(shù)據(jù)傳輸和處理。

時(shí)鐘振蕩器主要參數(shù)

標(biāo)稱頻率[Nominal Frequency]

時(shí)鐘振蕩器最重要的參數(shù)之一。頻率表示的是單位時(shí)間內(nèi)振蕩的次數(shù)，通常以[Hz]為單位。

工作電壓[Operating Voltage]

時(shí)鐘振蕩器能夠正常工作的電壓范圍。在這個(gè)范圍內(nèi)，晶振能夠提供穩(wěn)定的振蕩信號(hào)。超出這個(gè)范圍，振蕩器的頻率穩(wěn)定度會(huì)受到電源電壓變動(dòng)和負(fù)載變動(dòng)的影響，甚至可能無法正常工作，通常以[V]為單位。

溫度頻差[Temperature Drift]

時(shí)鐘振蕩器在不同溫度下諧振工作穩(wěn)定的頻率與25℃下的最大偏差值。這一特性是衡量晶振在溫度變化時(shí)頻率變化程度的指標(biāo)。較低的頻率溫度穩(wěn)定度意味著晶振在不同溫度條件下更為穩(wěn)定，對(duì)于一些對(duì)頻率精確性要求較高的應(yīng)用，如通信、導(dǎo)航、精密測(cè)量等，這是一個(gè)重要的性能指標(biāo)。通常以[ppm]為單位。

消耗電流[Current Consumption]

時(shí)鐘振蕩器在指定工作電壓下穩(wěn)定工作時(shí)消耗的電流。對(duì)功耗有嚴(yán)格要求的應(yīng)用中，電流消耗是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。通常以[mA]為單位。

輸出波形[Output]

時(shí)鐘振蕩器在電路中的輸出波形。常見的輸出波形模式有方波CMOS、差分信號(hào)輸出LVPECL、LVDS、HCSL、CML等。

工作溫度范圍[Operating temperature Range]

時(shí)鐘振蕩器能正常工作的溫度范圍。通常在-40℃~+85℃，-40℃~+105℃，-40℃~+125℃。

存儲(chǔ)溫度范圍[Storage Temperature Range]

時(shí)鐘振蕩器在未使用的情況下，存儲(chǔ)的溫度范圍。通常在-55℃~+125℃。

占空比[Duty Cycle]

在一個(gè)頻率周期內(nèi)高低電平所占的比例。單位用[%]表示。

上升/下降時(shí)間[RISE/Fall Time]

時(shí)鐘振蕩器輸出電平10%或90%VDD所需要的時(shí)間，單位用[nS]表示。

起振時(shí)間[Start-up Time]

時(shí)鐘振蕩器從上電到振蕩工作是所需要的時(shí)間。起振時(shí)間主要由晶體的諧振電阻與負(fù)性阻抗共同決定，同頻率晶體的體系越小，諧振電阻就越大；負(fù)性阻抗大小由振蕩IC和負(fù)載電容CL值決定，負(fù)載電容與負(fù)性阻抗大小成反比。需快速工作的產(chǎn)品要求振蕩器的起振時(shí)間越小，起振時(shí)間是一項(xiàng)重要參數(shù)，單位用[mS]表示。

使能控制[Enable Control]

使能腳可以控制時(shí)鐘振蕩器的頻率輸出。輸出使能OE是高電平1或者懸空，頻率輸出；輸出使能OE是低電平0，則無頻率輸出。

年老化率[Aging]

在所有其他條件都恒定不變的情況下，晶振的頻率仍會(huì)隨著時(shí)間推移而發(fā)生的漂移，這種長(zhǎng)期漂移是由晶體元件和振蕩電路的其它元器件緩慢變化造成的，即晶振隨時(shí)間變化而引起的頻率變化量。可用日老化(ppb/天)和年老化(ppm/年)表示。